ЕФЕКТИВНІ СОНЯЧНІ ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ НА ГЕТЕРОВАНОМУ КРЕМНІЇ
Ключові слова:
сонячний елемент, кремній, рекомбінація, гетерування, відпал, преципітація кисню, алмазоподібні плівкиАнотація
В роботі вивчено еволюцію рекомбінаційно-чутливих параметрів: часу життя та довжини дифузії нерівноважних носіїв струму у кремнієвих зразках, які піддавались термічним та гетеруючим обробкам. Запропоновано ефективну технологію гетерування рекомбінаційно-активних домішок в кремнії, що полягає в нанесенні плівки Ge на тиловий бік пластини, іонному перемішуванні і постімплантаційному відпалі. Розроблено конструкцію і технологічний маршрут виготовлення конкуренто- спроможних фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії з використанням відносно низькоякісного дешевого кремнію.Посилання
Romanyuk B. N., Popov V. G., Litovchenko V. G., Klyui N. I., Romanyuk A. B., Gorbulik V. I., Moskal D. N., Volkov S. G. Evolution of
recombination parameters of «solar» monocrystalline silicon due to thermal and gettering treatments // Functional Materials. – 1998. – Vol. 5. – № 4. – P. 555-560.
Романюк Б. М. Вплив термічних обробок на час життя нерівноважних носіїв заряду в Cz-Si / Романюк Б. М., Попов В. Г., Мельник В. П., Клюй М. І., Горбулик В. І., О. С. Оберемок. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. – 2000. – Вип. 79. – C. 25–29.
Borghesi A., Pivac В., Sassella A., Stella A. Oxygen precipitation in silicon // J. Appl Phys. – 1995. – Vol. 77, № 2. – P. 4169–4244.
Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии : Пер. с англ. / К. Рейви. – М. : Мир, 1984. – 470 с.
Горбулик В. І. Покращення характеристик кремнієвих сонячних елементів нанесенням захисних та просвітлюючих a-C:H:N плівок /
Горбулик В. І., Клюй М. І., Литовченко В. Г., Костильов В. П., Романюк А. Б. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. – 1999. – Вип. 66. – C. 14–17.
Klyui N. I., Litovchenko V. G., Kostylyov V. P., Rozhin A. G., Gorbulik V. I., Voronkin M. A., Zaika N. I. Silicon Solar Cells with
Antireflecting and Protective Coatings Based on Diamond-Like Carbon and Silicon Carbide Films // Optoelectronics Review. – 2000. – V. 8. –
№ 4. – P. 406–409.
